제품 정보 및 가격 문의
연구 요구에 맞춘 전문가 상담과 맞춤형 솔루션을 받아보세요
Cu로 의도적으로 오염된 Si를 대상으로 접촉 전위차(CPD) 및 교류 표면 광전압(ac-SPV) 측정을 통해 실리콘 표면에서의 Cu의 전기적 발현을 분석하였습니다. 이에 대한 물리적 모델은 Cu에 의해 유도된 표면 상태를 포함합니다. Cu에 의해 유도된 음의 표면 전하는 일함수의 증가와 함께 p형 Si에서는 표면 공핍 장벽(Vsb)의 감소로, n형 Si에서는 증가로 나타납니다. SPV 측정에서 Cu의 발현은 표면 수명(τs)의 감소로 나타납니다. 이러한 특성을 통해 1e8 atoms/cm² 수준에서 Cu 모니터링이 가능할 것으로 예상됩니다. 그러나 실제로는 표면 Cu의 일부만이 전기적으로 활성화되기 때문에 이 한계에 도달하지 못합니다. 이러한 문제는 표면 Cu를 전기적으로 활성화하고 Cu 기여도를 분리할 수 있는 광학적 표면 처리 방법을 통해 극복됩니다. 이 접근법을 통해 Vsb를 이용한 경우 1e9 atoms/cm², τs를 이용한 경우 1e10 atoms/cm² 수준에서 Cu 검출을 입증하였습니다.