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모델 기반 적외선 반사측정(MBIR) 기법[1]을 이용하여, 미세 피치 플립칩 소자의 제조를 지원하기 위한 폴리이미드 패시베이션 박막의 인라인 공정 모니터링 방법을 개발하였습니다. 반도체 웨이퍼에는 플립칩 인터커넥트에서 솔더를 형성하기 전에 영구 패시베이션층이 도입되며, 이는 칩-패키지 인터커넥션(CPI) 응력, 수분 및 화학물질의 침투로부터 민감한 온칩 구성 요소를 보호하고 전기적 절연을 제공합니다. 감광성 폴리이미드(PSPI)[2]는 열적 및 화학적 안정성, 기계적 강도와 함께 축적된 적용 실적을 바탕으로 해당 용도에 널리 사용됩니다. 3차원 집적 기술의 도입과 함께, 제어 붕괴 칩 접속(C4) 피치 및 솔더 부피를 감소시키기 위한 새로운 접근이 주목받고 있으며, 이에 따라 인터커넥트와 이를 지지하는 패시베이션층 간의 공면성이 점점 더 중요한 요소로 작용합니다. 폴리이미드 패시베이션층 두께의 변동성을 모니터링하고 줄이기 위해서는 정확한 인라인 특성 분석 방법이 필요합니다. 본 연구에서는 MBIR 계측 장비를 활용한 인라인 계측 공정을 개발하였으며, 이를 통해 비가공 및 공정 완료된 300 mm Si 웨이퍼 상의 PSPI 박막에 대한 웨이퍼 수준 두께 특성 분석을 수행할 수 있습니다.