
빛 침투 깊이에 따른 표면 광전압(SPV) 측정을 통해 긴 소수 캐리어 확산 길이 L을 산출하는 절차를 제시합니다. 본 절차는 확산 길이가 빛 침투 깊이보다 긴 경우에 적용 가능한 명시적 SPV 공식을 사용합니다. 고순도 실리콘에서 얻은 결과는 mm 범위의 L 값을 비접촉 방식으로 웨이퍼 스케일에서 측정할 수 있는 새로운 가능성을 보여주며, 이는 웨이퍼 두께의 최대 약 2.5배에 달합니다. 이 배수는 SPV 신호 측정 정확도를 향상시킴으로써 더욱 증가시킬 수 있습니다. 본 절차는 확산 길이가 웨이퍼 두께의 약 70%로 제한되었던 기존 SPV 방법의 근본적인 한계를 갖지 않습니다.