전하 보조 KFM 및 UV 광발광을 이용한 4H-SiC 수율 저해 결함의 전기적 활성 마이크로 스케일 이미징

본 연구에서는 에피택셜 4H-SiC 웨이퍼에서 수율 저해 결함에 대한 비접촉 전하-전압 이미징과 UV 광발광(UV-PL) 이미징을 비교하였습니다.  거시 및 미시 스케일 이미징을 기반으로 두 가지 주요 결과를 도출하였습니다. 1- 전 웨이퍼 이미지는 삼각형, 다운폴, 캐럿 유형의 UV-PL 결함 중 일부만이 전기적으로 활성임을 보여줍니다. 2- 마이크로 스케일 이미지는 PL 결함 이미지와 전기적 결함 이미지 간의 유사점과 차이를 드러냅니다. 처음으로 제시되는 결과로, 삼각형 결함 내 마이크로미터 해상도의 누설 패턴은 참고문헌 1의 미세구조 모델링과 일치합니다. 이러한 결과는 수율 저해 결함 내 공핍층 누설이 노출된 3C-SiC 다형과 대응됨을 시사합니다. 이 누설은 4H-SiC의 3.3 eV에 비해 3C-SiC의 더 낮은 2.2 eV 에너지 밴드갭에 기인할 수 있습니다.