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More-than-Moore(MtM) 소자에는 전력 소자와 CMOS 이미지 센서를 포함하여 실리콘 온 인슐레이터(Silicon-On-Insulator, SOI) 웨이퍼가 널리 사용됩니다. 비접촉 정전용량-전압(C-V) 및 광발광 측정은 벌크 Si 웨이퍼에서 유전체 특성 및 소수 캐리어 수명 분석을 위해 확립된 방법입니다. 본 연구에서는 이러한 측정 기법을 More-than-Moore(MtM) 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 소자 웨이퍼로 확장하여 적용합니다.