에피택셜 SiC에서의 비접촉 도핑 프로파일링

본 연구에서는 실리콘 카바이드 에피택셜 층에서 도핑 농도 및 도핑 깊이 프로파일을 매우 빠르고 비접촉이며 별도의 시료 준비 없이 산출할 수 있는 방법을 제시합니다. 본 방법은 최근 특허된 Q²-V 기법의 확장입니다. 이 방법은 공기 중 코로나 방전을 이용하여 에피 표면에 정밀하게 제어된 전하 ΔQₑ를 인가합니다. 이후 진동 프로브를 이용하여 표면 전위 V를 비접촉 방식으로 측정합니다. 이러한 충전 및 측정 과정을 반복하여 Q²-V 곡선을 생성하며, 균일 도핑의 경우 선형 관계를 만족합니다. 비균일 도핑의 경우에는 dQ²/dV 미분을 통해 깊이 프로파일을 산출하며, 이는 미분 정전용량 방법과 유사합니다.