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코로나–켈빈 측정은 시험 접합 또는 쇼트키 다이오드를 제작하지 않고도 에피택셜 GaN, SiC 및 이종 에피택셜 AlGaN/GaN의 고정밀 비접촉 전기적 특성 분석을 달성하는 데 성공적으로 적용되었습니다. 일정 표면 전위 전하 증착 방법을 사용하여, ND=2.9e17cm⁻³의 n형 GaN에서 0.05% 표준편차(STDEV), ND=9.0e15cm⁻³의 n형 SiC에서 0.1% 표준편차(STDEV)로 우수한 도펀트 재현성이 입증되었습니다. AlGaN/GaN의 경우, 결과는 표준 수은 프로브 정전용량-전압(MCV) 측정과 우수한 상관관계를 보이는 코로나–켈빈 2DEG 프로파일링을 보여줍니다. 그러나 이 새로운 전하 기반 기술은 “charge to depletion”을 이용하여 2DEG 시트 전하를 고유하게 정량화하는 방법을 제시합니다. 산화된 GaN에 대한 결과는 Dit 분광법을 포함한 계면 특성 분석을 보여줍니다.