표준 C-V에서 보이지 않는 깊은 트랩을 갖춘 넓은 밴드갭 인터페이스의 광 보조 코로나 전하 특성 분석

광대역 밴드갭 반도체 기술은 고전력 전자 분야에서의 근본적인 장점으로 인해 큰 관심을 받아 왔습니다. 계면 특성에 대한 이해와 효과적인 제어는 반드시 해결이 필요한 핵심 과제 중 하나입니다. 본 연구에서는 깊은 공핍 상태에서 코로나 전하 바이어스에 의해 형성된 비평형 조건 하에서 깊은 트랩의 광이온화를 이용하여, 광대역 밴드갭 계면 특성 분석 기술의 진전을 보고합니다. 이 특성 분석 기법은 표준 C-V로는 검출되지 않는 깊은 계면 트랩을 포함하는 산화된 n형 에피택셜 SiC에서 입증되었습니다. 초기에 높은 밀도로 존재하던 이러한 트랩은 습식 어닐링 이후 절반 수준으로 감소하는 것으로 나타났습니다. 이 광이온화 기법은 상용 비접촉 C-V(CnCV) 계측 시스템[1,2]에 적용되어, 개발 연구뿐만 아니라 소자 제조에도 유용한 비침습적이며 비용과 시간을 절감할 수 있는 계측 방법을 제공합니다.