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표면 광전압 효과(SPV)를 기반으로 한 광전 측정 방법이 이온 주입된 실리콘의 모니터링을 위해 개발되었습니다. 주요 주입 상관관계를 설명하는 현상론적 모델이 제안되었습니다. 본 방법의 주입 용량 및 에너지에 대한 민감도를 결정하는 메커니즘이 규명되었습니다.