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기존의 마이크로파 광전도 감쇠(MW-PCD) 측정과 결합된 인라인 광발광 이미징의 새로운 구현 방식을 제시합니다. MW-PCD를 이용한 수명 측정을 동시에 수행함으로써, CCD 또는 CMOS 카메라로 획득한 PL 이미지를 고해상도 캐리어 수명 맵으로 변환하기 위한 광발광 이미징 측정의 인시투 보정 방법으로 활용할 수 있습니다. 본 연구에서는 절단 직후 다결정 실리콘 웨이퍼의 검사에 대한 PLI 기법의 적용에 초점을 맞춥니다. 절단 직후 웨이퍼의 표면 상태(특히 톱 절단 손상 영역의 특성)의 변화는 손상 영역의 실제 특성에 의존하고 벌크의 전기적 품질과는 무관한 제어되지 않은 PL 신호 수준을 초래할 수 있습니다. 표면 상층을 에칭으로 제거하면 PL 신호가 2~3배 증가할 수 있습니다. 우리는 손상 영역이 MW-PCD 과도 신호의 진폭에는 영향을 미치지만, 감쇠 곡선으로부터 평가된 수명은 표면 손상 영역의 특성과 무관함을 보입니다. 따라서 실제 절단 직후 웨이퍼에서 MW-PCD로 측정된 수명 값을 PL 이미지 보정을 위한 기준으로 사용하면, 결과적으로 얻어진 PLI 수명 맵은 표면 손상층의 영향으로부터 독립적입니다.