압전 분극 펄스에 대한 표면 전압 응답을 켈빈 프로브를 이용하여 측정함으로써, 분극에 의해 유도된 시트 전하 및 2차원 전자 가스(2DEG)의 동역학을 조사할 수 있는 독특한 방법을 제공합니다. 표면에 코로나 전하를 축적 상태에서 깊은 공핍 상태까지 바이어싱하고, 이에 대응하는 비접촉 C-V 방식의 특성 분석과 결합함으로써, 본 기법은 표면 밴드 밴딩과 계면 트랩이 압전 분극의 크기 및 시간에 따른 감쇠에 영향을 미치는 주요 요인임을 규명합니다. 2DEG 구조에서는 2DEG가 완전히 형성된 경우 표면 전위 고정 현상이 관찰됩니다. 음의 코로나 전하를 인가하여 2DEG를 완전히 공핍시키면 이러한 고정 상태는 해제됩니다. 이러한 결과는 표면 상태의 역할과 일치합니다. 본 연구에서 제시된 분극 변조 및 웨이퍼 스케일 측정은 AlGaN/GaN 2DEG 구조에 대한 심층적인 특성 분석과 기초적 이해에 중요한 영향을 미칠 것으로 기대됩니다.