탄성 금속 게이트(EM-gate)를 이용한 초얕은 채널 주입의 제품 웨이퍼 모니터링

딥 서브마이크론 금속–산화막–반도체(MOS) 전계효과 트랜지스터(MOSFET)에서 가장 중요한 파라미터는 임계 전압(VT)입니다. 소자의 VT는 공정 조건, 특히 이온 주입에 의해 형성된 채널 도핑 프로파일에 크게 의존합니다. 제품 웨이퍼에서 채널 도핑을 모니터링하는 것은 매우 바람직하며, 공정 엔지니어에게 중요한 과제입니다. 비오염, 비손상, 소직경 금속 접촉을 기반으로 한 기법이 제안되었으며, 이를 통해 제품 웨이퍼에서 채널 캐리어 밀도 프로파일, 선량 및 VT를 높은 감도와 정밀도로 측정할 수 있습니다.