게이트 산화막에 대한 플라즈마 손상의 수율 및 신뢰성 영향 간의 관계

안테나 테스터에서 측정된 게이트 산화막 손상과 생산 칩에서의 수율 손실 및 신뢰성 저하 사이의 직접적인 상관관계를 보고합니다. 수율 손실의 크기와 신뢰성 실패 간의 관계를 분석합니다. 모델링과 실험적 검증을 통해, 플라즈마 충전 손상이 일반적으로 수율 손실과 장기 신뢰성 저하를 유발할 수 있으나 단기 신뢰성에는 미치는 영향이 제한적임을 입증합니다.

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