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Si는 간접 밴드갭 물질이므로, 포논 보조 밴드 간(B2B) 복사 재결합(에너지는 Si의 밴드갭 에너지와 동일)에 의해 생성되는 광발광(PL)은 매우 약하며, 여기 광자 플럭스보다 약 10자릿수 낮습니다 [1]. 결정학적 결함이 존재하는 경우, 상온에서 Si의 밴드갭보다 낮은 에너지를 갖는 추가적인 넓은 결함 PL 피크(DPL)가 생성됩니다 [1], [2], [3]. 상온에서 결함 밴드 PL 강도는 B2B 강도보다 몇 자릿수 낮습니다 [1].