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공기 중 코로나 충전과 접촉 전위차 프로브를 이용한 비접촉 산화막 전하 측정을 결합하면 MOS 커패시터를 제작하지 않고도 전자 터널링 특성을 빠르게 모니터링할 수 있는 독특한 가능성을 제공합니다. 또한 터널링 범위의 박막 산화막에 대한 코로나 충전은 응력 유도 누설 전류를 생성하는 데 매우 효과적인 것으로 확인되었습니다. 본 연구에서는 코로나에 의해 유도된 응력 유도 누설 전류의 크기가 게이트 산화막 무결성(GOI) 결함 밀도에 민감하게 반응함을 입증합니다. 실험 결과는 가장 일반적인 세 가지 게이트 산화막 무결성 결함을 포함하며, 구체적으로는 다음과 같습니다: 1 – 1×1010에서 1×1011 atoms/cm3 범위의 실질적으로 중요한 저농도에서 중금속(Fe, Cu)에 의해 유도된 결함, 2 – 계면 거칠기로부터 기인한 결함, 3 – 결정 기원 입자와 관련된 결함.