Sn 이온 주입을 통한 고전자 및 정공 이동도를 위한 표면 변형 Ge-Cz 웨이퍼

Si 웨이퍼의 Ge-epi에는 접합 누출을 저하시키고 잠재적으로 이동도를 저하시키는 >1E7/cm2 TDD가 포함되어 있습니다. 따라서 우리는 Ge-epi TDD가 낮은 대안으로 Ge-Cz 웨이퍼를 사용하여 조사한 결과 최대 16%의 표면 Sn 주입이 XRD로 측정한 표면 인장 변형-Ge를 유도하여 상위 30nm n-well 표면층 이동도(μe)를 500cm²/Vs에서 최대 1250cm²/Vs까지 2.5배 향상시키지만 표면 장력은 Strain-Ge는 상단 30nm p-웰 표면층 이동도(μh)를 3000cm²/Vs에서 800cm²/Vs로 73% 저하시켰고, 표면 이동성을 1850cm²/Vs에서 480cm로 74% 저하시켰습니다²/Vs.