수은 게이트 MOS 커패시터를 사용하여 0.25μm 미만 공정의 임계 전압 제어(VT)

MOSFET 임계 전압(VT)은 서브-0.25 μm MOS 소자의 동작을 좌우하는 가장 중요한 파라미터입니다. 속도, 오프 상태 전류, 동적 전력과 같은 주요 소자 성능은 VT에 의존합니다 [1]. VT에 영향을 미치는 주요 요소로는 산화막 두께(Wox), 산화막 전하(Qox), 계면 트랩 전하(Qit), 그리고 채널 도펀트 프로파일이 있습니다. 기존의 CV 기반 방법으로는 초박막 산화막에 CV를 적용할 수 없다고 여겨져 왔으나, 본 논문에서는 하드 프로브와 높은 반복성을 갖는 수은 프로브를 모두 사용하여 VT와 그 구성 요소를 정확하게 측정하는 방법을 제시합니다.