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광변조 반사 측정은 모니터 웨이퍼 및 제품 웨이퍼에서 이온 주입 공정의 통계적 공정 제어를 위해 강력한 비접촉·비파괴·인라인 호환 저비용 측정 방법을 제공합니다. 본 논문에서는 광변조 반사 측정(PMR)을 이용하여 저에너지 이온 주입 공정에서도 높은 분해능으로 이온 주입 선량, 플루언스 및 틸트 각도를 모니터링할 수 있음을 사례 연구를 통해 제시합니다. 이는 얕은 접합과 복잡한 3차원 도핑 프로파일을 사용하는 최신 반도체 공정에서 도펀트 및 손상 프로파일의 정밀 제어가 매우 중요하기 때문입니다.