초얕은 접합 형성: PULSION®에서의 플라즈마 침지 이온 주입 후 레이저 열 처리

45 nm ITRS 노드에서 P+/N 접합 요구 사항을 충족하기 위해서는 초저 에너지 및 고선량 이온 주입이 필요합니다. 기존의 빔라인 이온 주입은 저에너지 영역에서 한계를 보이는 반면, 플라즈마 침지 이온 주입(PIII)은 반도체 응용에서 초얕은 접합(USJ)을 구현하는 데 있어 효율성이 이미 입증된 기술입니다. 이 기술은 에너지의 하한 제한이 없고 높은 선량률을 제공하므로, 주입 상태(as-implanted)에서 극도로 얕은 프로파일을 구현할 수 있습니다.