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광변조 반사율(photo-modulated reflectance, PMR) 기술은 Si 웨이퍼의 이온 주입 공정 모니터링에 널리 활용되고 있으며, SiC 웨이퍼에도 적용 가능한 장비가 Semilab Ltd.에서 지속적으로 개발되고 있습니다. 본 연구에서는 주로 이온 주입된 SiC 웨이퍼 모니터링을 위해 설계된 Semilab PMR-2200C 장비로 측정한 결과를 제시합니다. 또한 동일 장비는 이온 주입된 Si 웨이퍼의 모니터링에도 효과적으로 활용될 수 있습니다. 적절한 측정 조건에서, PMR 신호와 주입 선량(즉, 손상 정도) 간의 단조로운 경향이 SiC와 Si 모두에서 넓은 선량 범위에 걸쳐 관찰됩니다. 따라서 PMR은 주입 상태(as-implanted) 웨이퍼의 고처리량 공정 모니터링을 위한 효과적인 비파괴, 비접촉 측정 기술입니다.