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在這項工作中，我們提出了一種基於微尺度時間分辨電暈開爾文技術來測量 SiC 中摻雜濃度的新方法。 在這個方法中，SiC 表面的電暈充電是在微型電暈點內完成的，並使用開爾文力微型探針來測量點中心的表面電壓衰減。 電壓衰減是由於表面擴散產生的電荷衰減造成的，類似於探針下的電壓-電荷掃描。 我們使用二維電荷擴散分析來提取兩個參數 - 1）SiC 外延層中的摻雜濃度和 2）SiC 表面電暈離子的擴散係數。 本工作中所示範的微點電暈-開爾文方法對於微尺度摻雜均勻性測試和 SiC 生產晶圓小面積測量具有重要意義。