一種研究與矽片等離子加工相關的退化的新方法

基於氧化電位和表面光電壓測量的新一代監測工具可對等離子體損傷（尤其是電介質電荷累積、輻射損傷和重金屬污染）進行即時、非接觸式診斷。 此方法依賴可重複使用的 10 00Å 氧化物監控晶圓，而不是測試結構。 該技術可產生強大的全晶圓圖，用於將等離子體損傷與等離子體設備特性相關聯。

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