用於監測光伏矽片和太陽能電池缺陷的加速光致降解 (ALID)

發表於: Journal of Electronic Materials 39 2010) 642

年: 2010

作者: M. Wilson, P. Edelman, A. Savtchouk, J. D’Amico, A. Findlay, J. Lagowski

Silicon (Si)photovoltagecontaminationPVdefectsboron–oxygen dimerfull wafer mappinglight degradationsolar cells

在晶體矽中，帶隙以上照明會將缺陷轉化為強複合中心，從而降低少數載流子壽命和太陽能電池效率。這種光致降解（LID）主要是由於硼-氧和鐵-硼缺陷造成的，並且可以透過針對每種缺陷類型明顯不同的熱處理來逆轉。結合照明和熱處理，我們設計了一種加速光誘導降解 (ALID) 循環，在幾分鐘內將缺陷轉化為將硼氧二聚體 (BO_2i) 和間隙鐵 (Fe_i) 的個體貢獻隔離開所需的不同狀態。在此循環中，BO_2i 和 Fe_i 的濃度是透過表面光電壓 (SPV) 擴散長度測量來確定。 ALID 循環使用可逆缺陷反應，並為光伏 (PV) 晶圓和最終太陽能電池中的 BO_2i 和 Fe_i 晶圓級映射提供了非常好的可重複性。

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