利用精細的非接觸式 CV 技術準確表徵氧化 SiC 中的摻雜劑和介面

非接觸式 C-V 技術作為一種針對寬頻隙半導體的精確、經濟且高效的計量技術，最近引起了人們的興趣。 非接觸式 C-V 最初專注於摻雜劑測量，現已擴展到寬頻隙表面和介面表徵，包括對功率元件的未來至關重要的複雜可靠性問題。 在這項工作中，我們報告了使用新的直接方法確定平帶電壓 V_FB 和電容 C_FB 所取得的進展。 給出了 n 型氧化外延 4-H SiC 的實驗結果。 他們示範了該方法和獨特的自洽測量，可產生一整套相關的電參數，包括界面陷阱密度 D_it。