透過恆定表面電位電暈充電準確測定 SiC 中的摻雜密度； Hg-CV 的產業就緒替代品

我們提出了一種改進的碳化矽非接觸式摻雜密度測定方法，它具有 3 個新穎的特點：(1) 電暈充電耗盡的恆定表面電位方法； (2) 振動開爾文探針測量耗盡表面電壓和保持恆定表面電位的電壓補償，以及 (3) 獨特的自洽資料分析程序。 在外延 SiC 上獲得的結果表明，對於 e15cm^-3 和 e19cm^-3 範圍內的摻雜，在 10 次重複 0.05% 和 0.1% 的情況下，精度提高了 3 倍，重複性提高了 1σ。 增強的充電範圍能夠測量 e19cm^-3 範圍內的高摻雜密度，並實現更大的摻雜分析深度。 透過這些改進，SiC 的非接觸式摻雜計量成為 Hg-CV 的產業替代品。