外延矽摻雜濃度的氣隙 CV 測量

以非接觸電容與電壓方法研究了低電阻率和中電阻率的外延矽層。 0.15 Ohm cm 的低電阻率樣本具有超過 3 天的長期重複性和再現性，分數標準差為 0.8%。 6.2 Ohm cm 的中間電阻率外延層具有長期重複性，分數標準差為 0.16%。 全自動 CV 工具使用距晶圓表面 0.5 µm 的電極進行測量。 顆粒檢測系統可確保測量部位不存在缺陷。 這種非接觸式方法在確定摻雜濃度和摻雜深度分佈方面比汞-CV或四點探針等傳統方法具有明顯的優勢。