光散射斷層掃描在Si(111)樣品的應用

直拉法生長的矽 (Si) <100> 晶圓中體微缺陷的檢測對於晶圓品質控制具有重要意義。 光散射斷層掃描 (LST) 是用於此目的的業界標準技術。 這種光學非接觸式計量需要破壞性的樣品製備：樣品必須劈成兩半。 該方法的一個特殊特徵是暗場檢測裝置，它是透過將光檢測部分（顯微鏡單元）與照明分開來實現的。 照明應用於樣品的前表面，並且從缺陷散射的光通過解理表面收集。 此技術要求解理面與前表面垂直，這對於 Si(100) 晶片來說是滿足的。 然而，Si(111) 晶片的標稱解理表面並非垂直於前表面，而是具有 70.5° 的角度。 這種解理的顯著差異導致 Si(111) 晶片無法透過標準 LST 系統進行測量。 幸運的是，可以透過將檢測部分傾斜到適當的角度來修改標準 LST 系統，從而允許測量 Si(111) 樣品。 在本文中，我們詳細介紹了這項新技術，展示了新系統的設計和測量能力。 在正確的樣品製備後，透過與相同樣品的標準 LST 測量直接比較來驗證測量結果。