應用非接觸電暈-開爾文計量表徵等離子體氮化 SiO2

在本文中，我們展示了微電暈-開爾文計量學在監測目前用於先進柵極電介質的等離子體氮化製程製備的氮氧化矽的電性能方面的應用。 討論的關鍵測量參數有：介電電容等效厚度（CET）、價帶隧道介電電壓（VB）、界面俘獲電荷（Qit）和平帶電壓。