應用非接觸電暈-開爾文計量表徵等離子體氮化 SiO2

在本文中，我們展示了微電暈-開爾文計量學在監測目前用於先進柵極電介質的等離子體氮化製程製備的氮氧化矽的電性能方面的應用。 要討論的關鍵測量參數有：介電電容等效厚度（CET）、價帶隧道範圍內的介電電壓（VB）、界面俘獲電荷（Qit）和平帶電壓。 負極性隧道條件被用來作為介電價帶的量測。 利用 Si3N4 和 SiO2 之間較大的價帶偏移差異，我們利用這些隧道測量對 SiON 電介質中的氮含量進行非常靈敏的探測。