應用非接觸式電暈-開爾文計量學表徵紋理表面上的光伏電介質

非接觸式電暈-開爾文計量技術已在 IC 行業廣泛應用 20 多年，最近又被用於光伏 (PV) 行業的介電表徵。 漏電低溫光伏電介質的應用需要對該技術進行各種增強，例如加速時間分辨電荷測量週期以減輕漏電，以及更長波長照明以消除在富矽氮化矽 (SiN_x) 中觀察到的光致漏電。 這些增強功能可以提取各種光伏電介質的重要鈍化特性，例如界面態密度 (D_it) 光譜和總介電電荷 (Q_tot)。 然而，到目前為止，關於電暈-開爾文計量學在紋理表面光伏電介質表徵中的應用的出版物還很少。 與傳統金屬氧化物半導體 (MOS) C-V 測量相比，電暈-開爾文計量學具有非常重要且獨特的優勢，能夠在鈍化、紋理表面上快速、準確地進行測量，並將洩漏影響降至最低。 在這項工作中，我們展示了電暈-開爾文技術在紋理基底上 SiN_x 和氧化鋁 (Al₂O₃) 電介質表徵的應用。 由於紋理表面的表面積增加，必須對技術中使用的面積電暈電荷劑量施加校正因子。 使用在相同條件下沉積的 SiN_x 和 Al₂O₃ 鈍化的平面和紋理表面，我們根據經驗確定了標準鹼性紋理蝕刻的表面積校正因子，從而可以準確確定紋理表面上的鈍化特性，例如 Dit 和 Qtot。