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我們提出了一種矽上先進電介質的非接觸式電氣計量方法，重點是監測氮氧化物和矽酸鉿等混合電介質的成分。 此方法利用了混合電介質的各個組件之間顯著的能帶偏移差異。 為了最大限度地提高對能帶偏移的靈敏度，測量是在自調節穩態 (SASS) 條件下的隧道範圍內完成的。 當電暈充電脈衝通過電介質感應出與離子充電電流相符的隧道電流時，就獲得了這種條件。 正電暈用於探測導帶偏移，而負電暈用於探測價帶偏移。 關鍵測量參數是SASS條件下的介電電壓。 它使用商用電暈-開爾文工具進行測量，具有宏觀 (mm2) 和微觀 (30 × 30 μm2) 充電和監測功能。 介電錶面電位是用振動開爾文探針測量的。 隧道電流的建模用於說明該方法的原理並支持相關的 SASS 方程式。 此方法適用於p-Si 上SiON 混合電介質的傾斜。