4H-SiC 外延層的載子壽命映射與壽命研究

發表於: Materials Research Society MRS, Spring Meeting

年: 2006

作者: J.D. Caldwell, P. B. Klein, O. Glembocki, K. Hobart, F. Kub, A. Pap, T. Pavelka, A. Shrivastava, Z. Zhang, T. Sudarshan, G. Webster

carrier lifetimesilicon carbide (SiC)epilayer

透過實驗和詳細的載子動力學模擬研究了測量技術和測量條件（例如注入水平、溫度）對 n− 4H-SiC 外延層中測量的載流子壽命的影響，以更好地了解報告的壽命之間的差異。