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透過測量隨溫度變化的電子霍爾遷移率和電洞壽命隨摻雜密度的變化，研究了 n 型 In0.83Ga0.17As 三元合金中的載子散射和弛豫動力學。 T 溫度範圍內的主要散射機制80K，80＜ T T < 120K，120＜ T T < 300 K 時，摻雜id="">0.17As 分別表現為雜質散射、合金無序散射和聲子散射，而重摻雜 In0.83Ga0.17As 則在整個測量溫度範圍內合金散射占主導地位。 透過擬合測量的溫度相關載子壽命，輕摻雜 In0.83Ga0.17As 中的主要載流子弛豫機制被確定為分別在 InP 和 GaAs 基板上生長的樣品的輻射複合和蕭克利-雷德-霍爾效應。 重摻雜 In0.83Ga0.17As 的壽命低於 10 ns，以俄歇複合為主。 最後，進行光致發光和光吸收測量，結果顯示生長的輕摻雜 In0.83Ga0.17As 具有與晶格匹配的 In0.53Ga0.47As 相當的高光學質量。
