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使用非接觸生成壽命來表徵注入層的品質。 該技術不需要製造任何結型元件或 MOS 電容器。 透過監測晶片表面上的電暈電荷脈衝產生的深度耗盡崩潰期間的表面電壓衰減來測量發電壽命。 使用振動開爾文探針測量的電壓衰減是由於少數載子的生成造成的，類似於 MOS 電容器中生成壽命的電容瞬態測量。 殘餘植入物損傷表現為更快的生成速率以及因此更快的電壓衰減速率。 一代壽命是根據注入能量和退火溫度來測量的。
基於電暈的一代壽命技術產生了額外的有用參數，即摻雜劑濃度。 摻雜劑濃度根據擊穿電壓計算得出，並由擊穿條件下的注入分佈和耗盡寬度決定。