高能量 H+ 或 He+ 離子對矽中載子壽命的修改

H⁺ 或 He⁺ 以 1、2.5 和 4 MeV 的能量注入 n 型 <100> 4–7.5 Ω cm CZ-Si，劑量範圍為 3 × 10^{10 ×>/0 id="">12}/cm²。 使用 904 nm 雷射脈衝透過微波光電導衰減 (μ-PCD) 方法測量少數載子壽命的縮短。 結果表明，當損傷區域與雷射脈衝產生的多餘電荷袋完全重疊時，μ-PCD 可以直接測量修改後的壽命。 4 MeV H⁺ 植入就是這種情況。 對於較淺的缺陷，測量的壽命值受到過量少數載子擴散過程的影響。 為了提取本例中的真實壽命，提出了一個三層模型。

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