嵌入 Ge 奈米晶體的 MNOS 結構的充電行為

發表於: Physica Status Solidi C 9, 1370-1373

年: 2012

作者: Zs. J. Horváth, K. Zs. Molnár, Gy. Molnár, P. Basa, T. Jászi, A. E. Pap, R. Lovassy, P. Turmezei

MNOS structuresGe nanocrytalsOxide thickness

透過實驗和計算電子和電洞分別到氮化物層的導帶或價帶的隧道機率，研究了嵌入在 SiO₂/Si₃N₄ 界面處的含有 Ge 奈米晶的 MNOS 結構的充電行為。結論是，對於 2-3 nm 的氧化物厚度，可以預期沒有奈米晶體的 MNOS 結構的最佳充電行為。 SiO₂/Si₃N₄界面處半導體奈米晶的存在大大提高了薄氧化層（2-3 nm）結構在低電場下的電子和電洞的隧道機率，但它們並不影響結構在高電場下的充電行為。計算結果與Ge奈米晶MNOS結構的實驗結果一致。（© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）