使用差分結光電壓技術對矽異質接面太陽能電池結構進行非接觸式方塊電阻表徵

這項工作報告了應用差分結光電壓 (diff-JPV) 技術透過測量矽異質接面 (HJT) 電池結構射極側的方塊電阻 (R_sh) 來表徵矽異質接面 (HJT) 電池結構發射極的電晶體結構。 針對同質接面發射極所開發的diff-JPV測量原理可直接應用於異質接面電池結構，精確測定射極側透明導電氧化物(TCO)層的R_sh。 這是 diff-JPV 在非矽層和異質接面上的首次應用。 此外，這種簡單快速的測量結果不受基板晶圓電阻率的影響，並且與優化的四點探針測量表現出良好的相關性。 diff-JPV 技術的獨特之處在於，即使具有非常大的薄層電阻，它也能夠表徵發射極類型層，這是其他非接觸式技術難以實現的。 結果發現，在 PE-CVD 製程沉積氫化非晶矽疊層後，對晶圓進行 diff-JPV 測量，所得的 R_sh 值在 80 – 240 kΩ/sq 之間。 範圍。 薄層電阻對基板摻雜的依賴性表明測量與形成在發射極非晶矽層堆疊下方的反型層有關。 由於其他技術無法實現如此靈敏的反型層檢測和表徵，diff-JPV 可以成為進一步優化異質接面介面的重要方法。