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雷射退火是超淺結 (USJ) 的理想活化步驟。 但它會增加閘極電介質的界面陷阱 (Dit) 密度，導致 NBTI 可靠性下降。 因此，以電暈電荷計量學研究了退火條件的影響。 SiO2 被用作參考閘極電介質，並制定了恢復解決方案以減少雷射誘導的 Dit。 但另一方面，回收可能會導致 USJ 降解，限制回收製程條件的選擇。 尖峰退火導致的 Dit 減少可以用 SiO2 和 SiON 的應力鬆弛來解釋。 對於 HiK 閘極電介質，由於可能的化學相互作用和結晶，行為更加複雜。 可以透過尖峰退火和多掃描雷射退火來完成恢復。 後者較適合USJ房產。
