使用偏振應力成像儀研究體矽應力與光刻缺陷的相關性

偏振應力成像是監測矽晶圓柱體應力分佈的絕佳方法。 在這項研究中，使用 Semilab 的偏振應力成像儀 (PSI) 系統顯示了體矽應力與微影缺陷的相關性。 使用 PSI 光學成像計量工具和 AMAT 的 UVision 晶圓檢測工具對採用 7 nm 先進節點 FinFET 裝置的 300 mm 直徑樣品進行了研究。 在淺溝槽隔離蝕刻後和柵極蝕刻後對兩組樣品進行了分析。 結果表明，應力成像可以檢測導致高缺陷率的製程偏差，並可用於故障分析以找出故障的根本原因。