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對銅污染的矽進行了表面光電壓少數載子壽命/擴散長度分析。 據觀察，n 型矽中的銅和銅相關缺陷比 p 型矽中的少數載子壽命降低更多。 這項發現可以透過其他深能階瞬態光譜研究確定的銅相關缺陷水平的分析來解釋。 在受銅污染的 p 型矽中，光學或熱活化過程會顯著降低擴散長度。 提出了一種類似 p 型矽中 Fe-B 的製程。 活化過程解離了 Cu-Cu 對（p 型矽中的弱複合中心），並且銅在矽中形成了擴展的替代缺陷，從而具有更大的複合活性。 在這樣的活化過程之後沒有觀察到擴散長度的恢復。 活化後銅和鐵擴散長度恢復特性的差異可用於區分鐵污染和銅污染。