透過微波光電導衰減測量檢測 p 型矽中的低水平銅污染

為了更了解銅在p型矽中的行為，採用高強度偏壓光的微波光電導衰減測量方法（μ PCD）對銅的複合進行了研究。 據觀察，在存在小的氧沉澱物的情況下，可以使用高強度光來活化間隙銅的沉澱。 這表明高強度光將間隙銅的電荷狀態從正電變為中性，從而增強了沉澱。 沉澱遵循 Ham 動力學，導致重組率增加，即使銅濃度非常低，重組率也可以檢測到。 這種現象可用於透過 μ PCD 方法檢測低程度的銅污染。 此外，也觀察到間隙銅的向外擴散和向內擴散可能受到外部電暈電荷的影響。 因此，顯示銅原子從體矽向外擴散後不會在 Si-SiO₂ 界面上形成穩定的鍵結。

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