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隨著越來越小的電晶體和新結構的出現，也出現了新的計量挑戰，包括不同結構缺陷的偵測。穆勒矩陣 (MM) 測量可以提供研究它們的機會。
缺陷可能導致設備性能惡化；因此，它們的表徵尤其重要。 我們的目標是研究使用 MM 測量檢測不對稱缺陷的可能性，並研究叉片場效電晶體 (FET) 情況下這些結構缺陷的可區分性。
模擬不同程度和方向的叉片 FET 輪廓不對稱的 MM 測量。 為了量化由缺陷引起的光學響應的可區分性，計算了不對稱參數之間的相關性。 由於樣品的精確對準是檢測不對稱性的關鍵因素，因此也研究了對準不確定性的影響以及濾除它的方法。
MM 測量對輪廓彎曲的幅度和方向以及介電壁的移位都很敏感。 相關係數表明，可以區分不對稱缺陷和對準誤差的光學響應。 後者甚至可以透過本文介紹的方法來消除。