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一種用於測定矽晶片中金屬雜質分佈的蝕刻技術已經開發出來。 用100μL HF和HNO 3 混合物的蝕刻溶液蝕刻10mm 2 和10μm深度的區域。 透過紅外線燈照射和真空排氣將酸基質蒸發在晶片表面上。 殘留在晶圓表面的金屬雜質重新溶解到收集溶液中，並透過電熱原子吸收光譜法（ET-AAS）進行測量。 對於 Fe、Cu 和 Ni，局部蝕刻/ET-AAS 的回收率在 95-112% 範圍內。 矽中 Fe、Cu 和 Ni 的檢測極限 (3σ) 為 1 × 10^3 原子/cm3。 為了確認其適用性，採用局部蝕刻來評估吸雜研究中金屬雜質的影響以及半導體裝置的電子性能。 研究發現，局部蝕刻是一種有用的樣品製備技術，可用於分析矽片上特定區域的金屬雜質。
