UV-臭氧氧化的多樣化應用：有效的表面清潔和高品質的鈍化

人們早就認識到，有效的表面清潔對於提高太陽能電池和半導體裝置的性能至關重要。 在這篇文章中，我們將簡單的紫外線臭氧 (UVo) 製程與業界標準 RCA 和紫外線輔助去離子水 (DiO₃) 技術進行比較，介紹了晶體矽表面清潔的有效性。 儘管很簡單，但紫外線臭氧清潔可產生與 RCA 和 DiO₃ 清潔相當的有效表面鈍化質量，即飽和電流密度 (J₀) 為 7 fA/cm²，而 5 fA/cm< id="">22，而 5 fsup> 7<;除了表面清潔之外，我們還介紹了 UVo 和 DiO₃ 氧化物均可用作晶體矽基板的高品質化學鈍化，但 UVo 氧化物比 DiO₃ 氧化物提供更好的鈍化效果。 與沒有 UVo 氧化物的界面相比，在矽和氧化鋁或氮化矽的界面之間加入 UVo 氧化物可將 J₀ 降低 50% 以上。