SiNx薄膜和太陽能電池中移動離子的漂移特性

移動離子在矽集成電路計量學的非接觸式離子漂移pem/spectro">三元。 結果表明，PECVD SiN_x 薄膜中低至 Nasup id="">+_x 薄膜中低至 507< 的溫度。 與微電子領域使用的 SiN_x 薄膜相比，這似乎是一種截然不同的行為，它作為擴散屏障提供了出色的保護。 本研究是在 SiN_x 薄膜和故意被 Na、K 和 Cu 污染的最終太陽能電池上進行的。在非接觸式離子漂移光譜測量中，的電荷。 href="https://www.sciencedirect.com/topics/materials-science/dielectric-material" id="">介電表面，在空氣中具有電暈放電電暈放電。透過以受控速率隨時間升高溫度來施加溫度應力。離子漂移降低了用振動開爾文探針監測的介電電壓。電壓與時間、電壓與溫度以及相應的導數特徵用於量化漂移速度、離子濃度和漂移能活化能活化能活化能活化能。後者在導數光譜dV/dT與溫度的關係中產生特徵離子峰。移動離子映射的計量版本是基於與不同離子漂移相對應的選定溫度下的全晶圓電暈偏壓溫度應力。映射是識別離子源的強大手段，例如來自細胞封裝玻璃的Na。這將有利於進一步闡明Na在電位誘導降解（PID）效應中的作用，即極化效應和電位誘導分流（PIS）。