磷和硼擴散吸雜對多晶矽片光致退化的影響

多晶矽（multi-Si）是目前應用最廣泛的晶體矽太陽能電池材料。 儘管使用高性能 (HP) 多晶矽使電池效率有了顯著提高，但用這種材料製造的 PERC（鈍化發射極和背面電池）裝置會遭受強烈的光致衰減 (LID) 影響。 本研究旨在研究利用擴散吸氣來降低 HP 多晶矽晶圓中 LID 的可能性。 透過使用電感耦合等離子體質譜法，我們測量了不同擴散條件下姐妹樣品中的雜質濃度。 結果表明，800℃下50-Ω/sq POCl₃擴散和60-Ω/sq BBr₃擴散可以有效吸收雜質。 使用表面光電壓測量來測量吸雜前後的間隙 Fe (Fe_i) 和光致缺陷濃度。 在 80°C 下降解樣品 24 小時後，我們觀察到經過磷擴散吸雜的 HP 多晶矽片中光致缺陷濃度最低。 與未擴散的姊妹樣品相比，經過硼擴散吸雜的樣品也表現出較低的 LID。