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在「生長」壽命和電池性能之間發現了有趣的間接相關性，因為兩者都受到晶圓熱歷史的影響。
我們也觀察到透過 LST 在生長樣品上測量的 BMD 位置與 PERT 電池上的缺陷區域之間存在非常強的相關性透過 PL 測量進行定位。對熱處理樣品的 LST 測量（模擬 PERT 電池過程）顯示 BMD 在低效率區域的生長。 這表明即使在使用LST技術的生長材料中也可以檢測出有害缺陷。
