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研究了矽在低氟化物含量（≤ 0.1 mol dm-3）緩衝電解液中高陽極極化下的溶解行為，以確定矽結構深度剖析的合適蝕刻條件。 結果表明，透過嚴格選擇電解質成分、pH 值和溶解電位，可以最大限度地減少矽的有效溶解價對半導體性能的依賴性。
