透過電荷注入鈍化射極

我們發現了一種設計射極複合和飽和電流的新方法，J₀，利用電暈控制電荷注入界面區域附近的深層電介質陷阱。 從電介質表面去除電暈電荷後，注入的電荷保留在界面處，從而產生高度期望的低射極複合狀態。 此效應透過 SiO₂/SiN_x 堆疊鈍化的 n 基板上的 p⁺ 發射器得到證實。 所需的電荷注入是透過正電暈充電產生的，導致電子隧道穿過界面 SiO₂ 薄膜，到達 SiN_x 中的陷阱。 應該指出的是，注射鈍化需要與過去場效應鈍化研究中使用的電暈極性相反的電暈極性。 這種新現象可能很重要，不僅對於基本理解，而且可以想像，作為控制採用電介質疊層進行發射極鈍化的下一代先進電池中的電荷的一種手段。