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电荷偏置非接触电压成像，QUAD（质量均匀性和缺陷）是在 25 个 200 [mm] 4H-SiC 晶圆上生长的外延层上测量的。 分析電氣數據，並將 ΔV 訊號的偏差與具有 UV-PL 功能的光學表面檢測系統觀察到的缺陷進行比較。 電壓降低和缺陷分類之間關係的可靠統計數據表明，可以很好地檢測到外延層中的三角形和其他幾種缺陷。 QUAD 映射可以很好地初步指示外延層的電活性缺陷。
